一種發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210067680.X 申請日 -
公開（公告）號 CN102593298A 公開（公告）日 2012-07-18
申請公布號 CN102593298A 申請公布日 2012-07-18
分類號 H01L33/16(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳杰;邁克·亨利肯;潘小和;嘉鼎·斐 申請（專利權(quán)）人 矽光光電科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海信好專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周榮芳
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)張東路1387號51幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件，其包含具有一個以（100）晶面作為上表面的硅基底。在該上表面具有一個凹槽，凹槽的一部分被限定為硅基底的（111）晶面。該發(fā)光器件包含位于硅基底的其中一個（111）晶面上的GaN晶體結(jié)構(gòu)；該GaN晶體結(jié)構(gòu)包含一個非極性平面，及沿該非極性平面設(shè)置的第一表面。該發(fā)光器件還包含發(fā)光層，其位于GaN晶體結(jié)構(gòu)的第一表面上。發(fā)光層具有至少一個含GaN的量子阱。該發(fā)光器件利用非極性和半極性GaN晶體表面作為量子阱基底，提高了發(fā)光效率和光發(fā)射強度，且發(fā)射光高度極化，并能為GaN單晶體提供非常低的缺陷密度，以提高器件的可靠性和使用壽命。