一種壓電MEMS超聲波傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822122152.5 申請日 -
公開（公告）號 CN209383383U 公開（公告）日 2019-09-13
申請公布號 CN209383383U 申請公布日 2019-09-13
分類號 B81C1/00（2006.01）I; B81B7/02（2006.01）I; G01S7/521（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術〔7〕;
發(fā)明人 黃宏林; 王俊 申請（專利權(quán)）人 無錫智行華芯高科技合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 無錫華源專利商標事務所（普通合伙） 代理人 智馳華芯（無錫）傳感科技有限公司;無錫智行華芯高科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）;無錫智行華芯高科技合伙企業(yè)（有限合伙）
地址 214000 江蘇省無錫市菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園F6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種壓電MEMS超聲波傳感器，涉及傳感器技術領域，該壓電MEMS超聲波傳感器包括由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振動膜從底至頂依次層疊形成的硅基結(jié)構(gòu)，硅基結(jié)構(gòu)上表面的二氧化硅薄膜上制備形成有下電極，下電極上制備形成有PZT壓電薄膜和二氧化硅鈍化層，二氧化硅鈍化層露出下電極形成有下電極PAD，PZT壓電薄膜上制備形成有上電極，上電極引出至上電極PAD，本申請公開的結(jié)構(gòu)區(qū)別于傳統(tǒng)的超聲波傳感器基于壓電陶瓷的方案，其基于微米厚度的壓電薄膜，且基于彎曲振動模式，所制造的超聲波傳感器的尺寸可以小到毫米量級，因此具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的優(yōu)點，而且能夠很容易實現(xiàn)陣列，擴展了超聲波傳感器的應用范圍。