一種壓電MEMS超聲波傳感器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201822122152.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN209383383U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-09-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209383383U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-09-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | B81C1/00（2006.01）I; B81B7/02（2006.01）I; G01S7/521（2006.01）I | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 黃宏林; 王俊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫智行華芯高科技合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫華源專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 智馳華芯（無(wú)錫）傳感科技有限公司;無(wú)錫智行華芯高科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）;無(wú)錫智行華芯高科技合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園F6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種壓電MEMS超聲波傳感器，涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，該壓電MEMS超聲波傳感器包括由第一硅片、二氧化硅薄膜和硅振動(dòng)膜從底至頂依次層疊形成的硅基結(jié)構(gòu)，硅基結(jié)構(gòu)上表面的二氧化硅薄膜上制備形成有下電極，下電極上制備形成有PZT壓電薄膜和二氧化硅鈍化層，二氧化硅鈍化層露出下電極形成有下電極PAD，PZT壓電薄膜上制備形成有上電極，上電極引出至上電極PAD，本申請(qǐng)公開(kāi)的結(jié)構(gòu)區(qū)別于傳統(tǒng)的超聲波傳感器基于壓電陶瓷的方案，其基于微米厚度的壓電薄膜，且基于彎曲振動(dòng)模式，所制造的超聲波傳感器的尺寸可以小到毫米量級(jí)，因此具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的優(yōu)點(diǎn)，而且能夠很容易實(shí)現(xiàn)陣列，擴(kuò)展了超聲波傳感器的應(yīng)用范圍。 |
