一種壓電MEMS超聲波傳感器及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811542027.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN109502541A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109502541A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-03-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | B81C1/00（2006.01）I; B81B7/02（2006.01）I; G01S7/521（2006.01）I | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
| 發(fā)明人 | 黃宏林; 王俊 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫智行華芯高科技合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫華源專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 智馳華芯（無(wú)錫）傳感科技有限公司; 無(wú)錫智行華芯高科技投資合伙企業(yè)（有限合伙） |
| 地址 | 214000 江蘇省無(wú)錫市菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園F6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種壓電MEMS超聲波傳感器及其制造方法，涉及傳感器技術(shù)領(lǐng)域，本申請(qǐng)采用了MEMS工藝進(jìn)行超聲波傳感器的制造，在硅基片上采用類(lèi)似集成電路的光刻、刻蝕等方法實(shí)現(xiàn)傳感器的制造，同時(shí)區(qū)別于傳統(tǒng)的超聲波傳感器基于壓電陶瓷的方案，本申請(qǐng)?zhí)岢龅某暡▊鞲衅骰谖⒚缀穸鹊膲弘姳∧?，且基于彎曲振?dòng)模式，所制造的超聲波傳感器的尺寸可以小到毫米量級(jí)，因此采用本申請(qǐng)公開(kāi)的制造方法制造得到的超聲波傳感器具有尺寸小、一致性高以及可以批量制造的優(yōu)點(diǎn)，而且能夠很容易實(shí)現(xiàn)陣列，擴(kuò)展了超聲波傳感器的應(yīng)用范圍。 |
