一種高耐壓的陶瓷電容器芯片及其生產工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011181570.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112420385B 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN112420385B 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01G4/12（2006.01）I;H01G13/00（2013.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉志甫;馬名生;儲小蘭;羅亞成;左生榮 申請（專利權）人 泗陽群鑫電子有限公司
代理機構 合肥正則元起專利代理事務所（普通合伙） 代理人 劉生昕
地址 223700江蘇省宿遷市泗陽縣盧集鎮(zhèn)大元路北側貴嘴路西側全民創(chuàng)業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高耐壓的陶瓷電容器芯片及其生產工藝，包括陶瓷本體和設置在陶瓷本體兩側的正負極,所述陶瓷本體包括主料和輔料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一種，輔料包括以下摩爾百分比的原料：Si 4?5％、Ca 1.5?2.5％、As 2.5?3.5％、K 2?3％、Mo 6?7％、In 4?5.5％，I 0.5?2％；采用上述原料制備的高耐壓的陶瓷電容器芯片，能夠在高溫高壓下正常工作，具有優(yōu)異的耐高溫性能，以及很高的耐高壓性能。