一種激光剝蝕等離子體質譜的樣品引入裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110004603.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102184832B 公開（公告）日 2012-07-25
申請公布號 CN102184832B 申請公布日 2012-07-25
分類號 H01J49/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 袁洪林;戴夢寧;宗春蕾;陳開運;包志安 申請（專利權）人 西安西大科技工程研究院有限公司
代理機構 西安恒泰知識產權代理事務所 代理人 李鄭建
地址 710069 陜西省西安市太白北路229號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種激光剝蝕等離子體質譜的樣品引入裝置，包括外室和樣品座，外室的一端封閉，外室為長直形，外室的頂板上設置外室觀察口，外室的側面設置有兩個載氣進氣口；樣品引入裝置還包括小內室，小內室為中空的圓柱，該小內室位于外室內部且倒扣懸掛在外室觀察口下方，該小內室上端為內室觀察口，內室觀察口上覆蓋透明材料，小內室的側面開有出氣口，該出氣口通過外室導出；樣品座安裝在外室的底部且未接觸小內室，在樣品座的前、后兩個側面與外室的前、后側內壁之間均裝有定位彈珠；本發(fā)明減少了因樣品更換而導致的頻繁開啟樣品倉蓋對氣路系統(tǒng)的影響，使得等離子體質譜分析信號更穩(wěn)定，得到準確度更高、精密度更好的分析結果。