寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02294641.1 申請日 -
公開（公告）號 CN2593368Y 公開（公告）日 2003-12-17
申請公布號 CN2593368Y 申請公布日 2003-12-17
分類號 H01L31/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 耿新華;趙潁;薛俊明 申請（專利權(quán)）人 昆明鉑陽遠宏能源科技有限公司
代理機構(gòu) 天津市學(xué)苑有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 代理人 南開大學(xué);昆明鉑陽遠宏能源科技有限公司
地址 300071天津市衛(wèi)津路94號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型的名稱是寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池，涉及疊層電池結(jié)構(gòu)的設(shè)計，屬于太陽電池技術(shù)領(lǐng)域。一般的疊層電池或者光電轉(zhuǎn)換效率低，或者工藝復(fù)雜，為此本實用新型在設(shè)計電池時，在第(1)個pin的N層與第2個pin電池的P層之間加一特殊增反射層，該增反射層只反射第1個pin電池吸收范圍的光，透射第2個pin電池吸收范圍的光，在第2個電池pin的N層與金屬電極之間加另一個增反射層，負責(zé)反射第2個pin電池吸收范圍的光，這樣，可以提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率、減薄吸收層厚度，不容易發(fā)生光衰退，大大縮短制備時間，降低成本。