快恢復(fù)Pin二極管及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711314373.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108054197B | 公開（公告）日 | 2018-05-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108054197B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-05-18 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 超儀科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳峰誠志合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 超儀科技股份有限公司 |
| 地址 | 314000浙江省嘉興市秀洲區(qū)油車港鎮(zhèn)正陽西路88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種快恢復(fù)Pin二極管及其制造方法。所述快恢復(fù)Pin二極管包括N型襯底、形成所述N型襯底上的N型外延層、形成于所述N型外延層遠(yuǎn)離所述N型襯底的表面切間隔設(shè)置的兩個(gè)P型注入?yún)^(qū)、形成于每個(gè)P型注入?yún)^(qū)表面的P型高摻雜區(qū)、形成于所述N型外延層、所述P型注入?yún)^(qū)、及所述P型高摻雜區(qū)上的P型低摻雜注入?yún)^(qū)。?? |
