半導(dǎo)體分立器件快恢復(fù)芯片的電泳工藝制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110986211.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113611607A 公開（公告）日 2021-11-05
申請公布號 CN113611607A 申請公布日 2021-11-05
分類號 H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸新城;孔凡偉;婁燕燕;王秀錦 申請（專利權(quán)）人 山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司
代理機構(gòu) 濟寧匯景知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 茍莎
地址 273100山東省濟寧市曲阜市春秋東路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體分立器件快恢復(fù)芯片的電泳工藝制造方法，屬于快恢復(fù)芯片生產(chǎn)領(lǐng)域，其特征在于，首先對晶圓進行清洗，保證其表面潔凈，然后采用低溫化學(xué)氣相沉積法在晶圓表面形成一層氧化隔離膜，膜厚在＞6000埃；再依次經(jīng)光刻、溝槽蝕刻、電泳法玻璃鈍化、金屬化制得快恢復(fù)芯片；本發(fā)明在晶圓表面形成一層致密的隔離膜，通過把控氧化溫度及時間保證其隔離膜能有效的保阻斷鈍化時玻璃粉在臺面上的沉積，同時又保證產(chǎn)品TRR不受溫度影響，確保產(chǎn)品的一致性，實現(xiàn)快恢復(fù)芯片的規(guī)?；a(chǎn)。