一種整流半導體器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022078290.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213071112U 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN213071112U 申請公布日 2021-04-27
分類號 H01L23/367;H01L23/373;H01L23/49;H01L25/11 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸新城;代勇敏;段花山 申請（專利權）人 山東晶導微電子股份有限公司
代理機構 北京維昊知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 李波;孫新國
地址 273100 山東省濟寧市曲阜市春秋東路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種整流半導體器件。該器件包括第一到第四共四個金屬基片、兩個第一芯片和兩個第二芯片、金屬跳線和塑封體，其中：第一和第二金屬基片的底部均為平面無凸點結構，并且分別向外延伸至塑封體外部以形成兩直流輸出端，第三和第四金屬基片設置在塑封體內并且向外延伸至所述塑封體外部以形成兩交流輸入端，第一芯片采用N型襯底GPP芯片，而第二芯片采用P型襯底GPP芯片，其中一個第一芯片的P極和一個第二芯片的N極分別通過金屬跳線連接到第三金屬基片，而另一個第一芯片的P極和另一個第二芯片的N極分別通過金屬跳線連接到第四金屬基片。本發(fā)明的方案增加了芯片和銅片的表面接觸效果，提高了通電和散熱效率。