硅片復(fù)合絨面制作方法及由該方法制作的硅片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010989107.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN114203855A | 公開(公告)日 | 2022-03-18 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114203855A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 葉曉亞;曹芳;周思潔;鄒帥;王栩生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 宋啟超 |
地址 | 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)鹿山路199號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種硅片復(fù)合絨面制作方法及由該方法制作的硅片,基于本發(fā)明所提供的硅片復(fù)合絨面制作方法,能夠在硅片表面正金字塔結(jié)構(gòu)的頂部形成倒金字塔腐蝕坑,即所獲取的硅片表面形成有由正金字塔結(jié)構(gòu)與倒金字塔腐蝕坑共同構(gòu)成的復(fù)合絨面,在具體應(yīng)用于太陽能電池片的場(chǎng)景中,該復(fù)合絨面具有正金字塔鈍化效果好、開壓高的優(yōu)點(diǎn);還能夠兼具倒金字塔陷光效果好、電流高、與電極接觸面積大、接觸電阻小的優(yōu)勢(shì)。 |
