一種具有深能級(jí)摻雜的肖特基二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022625130.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213716908U 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN213716908U 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞?wèn)|;謝剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 劉貽盛
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科智西路5號(hào)科苑西25棟A609
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種具有深能級(jí)摻雜的肖特基二極管，其包括襯底以及形成于襯底表面的外延層，所述外延層上設(shè)有若干個(gè)溝槽，每一溝槽內(nèi)側(cè)壁和底部形成有柵氧化層，該溝槽內(nèi)填充有多晶硅，且所述多晶硅覆蓋在多個(gè)溝槽內(nèi)的柵氧化層上，每一溝槽旁形成有深能級(jí)雜質(zhì)層，所述深能級(jí)雜質(zhì)層以及溝槽上表面形成有金屬層。本實(shí)用新型肖特基二極管中每一溝槽旁形成有深能級(jí)雜質(zhì)層，深能級(jí)雜質(zhì)層以及溝槽上表面形成有金屬層，在常溫情況下，深能級(jí)雜質(zhì)層中的雜質(zhì)未能完全激活，二極管勢(shì)壘較低，正向壓降也比較低；而在高溫情況下，雜質(zhì)大部分激活，可以有效提高肖特基二極管的勢(shì)壘高度，降低肖特基二極管高溫漏電流，進(jìn)而降低器件功耗。