半導(dǎo)體器件及相應(yīng)制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710623403.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN107359209B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-05-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN107359209B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分類(lèi) | - |
| 發(fā)明人 | 單亞?wèn)|;謝剛;張偉;李一枝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 工業(yè)和信息化部電子專(zhuān)利中心 | 代理人 | 焉明濤 |
| 地址 | 518054廣東省深圳市南山區(qū)高新南6道6號(hào)邁科龍大廈6A02 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及相應(yīng)制造方法，用以解決在不提高半導(dǎo)體器件漏電的情況下，降低半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通壓降的問(wèn)題。所述方法包括：在半導(dǎo)體基件的預(yù)設(shè)注入?yún)^(qū)域注入離子源；通過(guò)熱擴(kuò)散，使所述離子源進(jìn)入預(yù)設(shè)的JFET區(qū)域；在完成熱擴(kuò)散的半導(dǎo)體基件上蝕刻溝槽結(jié)構(gòu)，形成半導(dǎo)體器件。?? |
