一種肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910686549.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110504330A 公開（公告）日 2019-11-26
申請公布號(hào) CN110504330A 申請公布日 2019-11-26
分類號(hào) H01L29/872（2006.01）; H01L29/205（2006.01）; H01L29/06（2006.01）; H01L21/329（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東; 謝剛; 胡丹 申請（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州市港澄專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山新西路7號(hào)蘭光科技大廈B209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。肖特基二極管包括依次形成于襯底表面的鎵極性GaN層、氮極性GaN層、鈍化層；多個(gè)第一凹槽，其穿過鈍化層、氮極性GaN層位于鎵極性GaN層的上表面；第二凹槽，其穿過鈍化層位于氮極性GaN層之中；第一陰極和第二陰極，其形成在第一凹槽之中并且形成為與鎵極性GaN層電接觸；陽極，其形成在第一陰極和第二陰極之間且與氮極性GaN層電接觸；氧化鎵，形成于第一凹槽內(nèi)暴露出的鎵極性GaN層、氮極性GaN層區(qū)域；氮氧化鎵層，形成在第二凹槽內(nèi)暴露出的氮極性GaN層區(qū)域。通過在陰極和鎵極性GaN層與氮極性GaN層之間設(shè)置氧化鎵，在陽極和氮極性GaN層之間設(shè)置氮氧化鎵層可以顯著降低肖特基二極管的漏電流。