具有肖特基金屬結(jié)的半導體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922060705.3 申請日 -
公開（公告）號 CN210607277U 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN210607277U 申請公布日 2020-05-22
分類號 H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東;謝剛;胡丹;李武華 申請（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山新西路7號蘭光科技大廈B209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種具有肖特基金屬結(jié)的半導體裝置，包括襯底以及形成于襯底表面的外延層，所述外延層上設(shè)有多個溝槽，每一溝槽內(nèi)填充有多晶硅，且所述多晶硅與溝槽之間形成有柵氧化層，該多晶硅上表面形成有第一金屬層，所述外延層與多晶硅相鄰的上表面處形成有第二金屬層，且該外延層上表面還形成有所述第一金屬層，所述第二金屬層和外延層形成的肖特基勢壘與第一金屬層和外延層形成的肖特基勢壘大小不同。本實用新型采用兩種不同的勢壘金屬作為肖特基接觸，在器件反向阻擋情況下，可以利用高勢壘的肖特基金屬對低勢壘肖特基金屬的電場屏蔽作用，降低肖特基勢壘電流，而在器件正向?qū)〞r，器件因低勢壘肖特基金屬仍具有較低的導通壓降。