一種半導(dǎo)體裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022625136.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213184304U 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN213184304U 申請公布日 2021-05-11
分類號 H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東;謝剛 申請（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 劉貽盛
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科智西路5號科苑西25棟A609
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體裝置，包括：襯底；外延層，形成于襯底表面，所述外延層的上部形成有溝槽，所述溝槽包括至少一位于有源區(qū)的第一溝槽和多個位于終端區(qū)的第二溝槽，多個所述第二溝槽之間形成有多個二氧化硅臺面結(jié)構(gòu)；二氧化硅氧化層，形成于所述第二溝槽底部和側(cè)壁；硅介質(zhì)層，形成于第二溝槽內(nèi)，并覆蓋在二氧化硅氧化層上；多晶硅，填充于所述第一溝槽內(nèi)；柵氧化層，形成于所述多晶硅與第一溝槽之間；鈍化層，形成于所述終端區(qū)的外延層表面上；金屬層，形成于所述有源區(qū)的外延層及鈍化層表面上。