一種具有深能級摻雜的肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> 202011271968X 申請日 -
公開（公告）號 CN112289868A 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN112289868A 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01L29/872(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東;謝剛 申請（專利權(quán)）人 廣微集成技術(shù)（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 劉貽盛
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園社區(qū)科智西路5號科苑西25棟A609
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有深能級摻雜的肖特基二極管，其包括襯底以及形成于襯底表面的外延層，所述外延層上設(shè)有若干個溝槽，每一溝槽內(nèi)側(cè)壁和底部形成有柵氧化層，該溝槽內(nèi)填充有多晶硅，且所述多晶硅覆蓋在多個溝槽內(nèi)的柵氧化層上，每一溝槽旁形成有深能級雜質(zhì)層，所述深能級雜質(zhì)層以及溝槽上表面形成有金屬層。本發(fā)明肖特基二極管中每一溝槽旁形成有深能級雜質(zhì)層，深能級雜質(zhì)層以及溝槽上表面形成有金屬層，在常溫情況下，深能級雜質(zhì)層中的雜質(zhì)未能完全激活，二極管勢壘較低，正向壓降也比較低；而在高溫情況下，雜質(zhì)大部分激活，可以有效提高肖特基二極管的勢壘高度，降低肖特基二極管高溫漏電流，進(jìn)而降低器件功耗。??