晶圓制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911141891.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111081787A 公開（公告）日 2020-04-28
申請公布號 CN111081787A 申請公布日 2020-04-28
分類號 H01L29/872;H01L29/06;H01L21/82 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單亞東;謝剛;胡丹;李武華 申請（專利權）人 廣微集成技術（深圳）有限公司
代理機構 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 廣微集成技術（深圳）有限公司
地址 518054 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道松坪山新西路7號蘭光科技大廈B209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓制備方法，所述方法包括：在完成N型襯底、N型外延層、以及進行了孔刻蝕的氧化層的制備后，在晶圓上濺射、光刻以及刻蝕所述金屬鋁層；將清洗后的晶圓通過焊接層蒸發(fā)爐蒸鍍焊接層；對蒸鍍焊接層后的晶圓進行腐蝕，去除掉沒有焊接層覆蓋的金屬鋁層；對所述焊接層進行光刻、刻蝕，最后減薄形成正面電極。