閃存讀閾值預(yù)測(cè)電平確定方法、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201710862664.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN107705814A | 公開(公告)日 | 2018-02-16 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN107705814A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-02-16 |
分類號(hào) | G11C16/34;G11C29/04;G06F11/10 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 黃亦軒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市致存微電子企業(yè)(有限合伙) |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 深圳市致存微電子企業(yè)(有限合伙);深圳市得一微電子有限責(zé)任公司 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技南十二18號(hào)6樓09-1單元 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種閃存讀閾值預(yù)測(cè)電平確定方法、設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述方法包括:獲取待讀取頁數(shù)據(jù)在相應(yīng)第一閃存塊中的第一分段位置;基于所述第一分段位置獲取對(duì)應(yīng)預(yù)存的讀閾值預(yù)測(cè)電平;獲取所述第一閃存塊的屬性信息,基于該屬性信息調(diào)整所述讀閾值預(yù)測(cè)電平,將調(diào)整后的所述讀閾值預(yù)測(cè)電平作為第一預(yù)測(cè)電平,以基于第一預(yù)測(cè)電平讀取待讀取頁數(shù)據(jù),以實(shí)現(xiàn)閃存頁數(shù)據(jù)的解碼。本方案解決了現(xiàn)有技術(shù)中未能實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù),造成解碼糾錯(cuò)效率低的技術(shù)問題。 |
