一種基于漸變波導(dǎo)層的小功率激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910758929.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112398002B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN112398002B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01S5/34（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉飛;朱振;張新;于軍;張東東 申請（專利權(quán)）人 山東華光光電子股份有限公司
代理機構(gòu) 濟南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙龍群
地址 250101山東省濟南市歷下區(qū)高新區(qū)天辰大街1835號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于漸變波導(dǎo)層的小功率激光器及其制備方法，激光器中（Al1?x3Gax3）y1In1?y1P下限制層和（Al1?x5Gax3）y1In1?y1P下波導(dǎo)層之間設(shè)置有（Al1?x4Gax3）y1In1?y1P組分漸變下波導(dǎo)層；（Al1?x10Gax3）y1In1?y1P上波導(dǎo)層和Al1?In1?y1P上限制層之間設(shè)置有（Alx12Gax3）y1In1?y1P組分漸變上波導(dǎo)層。本發(fā)明采用半漸變半穩(wěn)定非對稱寬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)降低波導(dǎo)層與限制層界面的勢壘尖峰，保證量子阱發(fā)光區(qū)穩(wěn)定生長；減少空穴對光的吸收，提高發(fā)光效率。1?y7