一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910934215.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112582877B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112582877B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 于軍;張雨;張新;鄧桃;朱振 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張文杰 |
| 地址 | 250101山東省濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法，所述激光器包括GaAs襯底，所述GaAs襯底表面自下而上依次生長(zhǎng)GaAs緩沖層、N型DBR層、AlxGa1?xInP下波導(dǎo)層、量子阱、AlxGa1?xInP上波導(dǎo)層、P型DBR層、GaAs窗口層；所述N型DBR層自下而上包括低反射率AlxGa1?xInP/AlInP DBR層、高反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層，所述低反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層在GaAs緩沖層上生長(zhǎng)，所述Al1?xGa1?xInP下波導(dǎo)層在高反射率Al1?xGa1?xInP/AlInP DBR層上生長(zhǎng)。本發(fā)明公開(kāi)了一種650nm垂直腔面激光器及其制備方法，工藝設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)單，不僅有效解決了原有的激光器材料易氧化，激光器可靠性差的問(wèn)題，同時(shí)還通過(guò)高低不同反射率的DBR層堆疊，實(shí)現(xiàn)光子的最大行程反射，提高了有源區(qū)復(fù)合效率，增加激光器功率，具有較高的實(shí)用性。1?x |
