一種GaAs基多結(jié)紅光激光器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910542284.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112117641B | 公開（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112117641B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
| 分類號(hào) | H01S5/323（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李志虎;張新;朱振;于軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 張文杰 |
| 地址 | 250101山東省濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種GaAs基多結(jié)紅光激光器及其制備方法，所述激光器包括GaAs襯底，所述GaAs襯底上自下而上依次生長(zhǎng)有GaAs低溫緩沖層、第一激光節(jié)、GaInP腐蝕阻擋層和第一GaAs帽層，所述第一激光節(jié)、GaInP腐蝕阻擋層生長(zhǎng)有若干個(gè)發(fā)光層；所述發(fā)光層自下而上包括若干個(gè)隧道結(jié)和第二激光節(jié)，所述最接近第一激光節(jié)的隧道結(jié)在第一激光節(jié)上生長(zhǎng)，所述第二激光節(jié)在隧道結(jié)上生長(zhǎng)；本發(fā)明不僅通過(guò)隧道結(jié)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了多節(jié)激光材料的生長(zhǎng)，在較小的電流下獲得較大的輸出功率，提高了激光器的發(fā)光功率；同時(shí)由于AlInP上限制層、第二GaAs帽層之間的界面寬帶不連續(xù)，本技術(shù)方案引入了（AlxGa1?x）yIn1?P晶格過(guò)渡層，降低電壓，提高器件的可靠性和壽命，具有較高的實(shí)用性。y |
