一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210159453.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114220847A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN114220847A 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高英英
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營(yíng)西路79號(hào)院中科云谷園11號(hào)樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路，所述LDMOSFET包括：襯底，所述襯底上設(shè)有外延層；所述外延層上方依次設(shè)有第一重?fù)诫sN+離子、P型硅、N型硅及第二重?fù)诫sN+離子；所述P型硅中設(shè)有輕摻雜N型離子，所述N型硅中設(shè)有輕摻雜P型離子。所述LDMOSFET不需要高能量離子注入，具有工藝簡(jiǎn)單，成本低的特點(diǎn)。