一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210124399.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114171585A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN114171585A 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙敏岑
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營(yíng)西路79號(hào)院中科云谷園11號(hào)樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供一種LDMOSFET，包括：襯底，所述襯底上設(shè)有埋層；所述埋層上方設(shè)有外延層；所述外延層上方設(shè)有高壓P型阱和高壓N型阱；所述高壓N型阱上方依次設(shè)有第一N型漂移區(qū)、P型體區(qū)和第二N型漂移區(qū)，其中，所述第一N型漂移區(qū)、P型體區(qū)和第二N型漂移區(qū)中的至少一者的上表面有凸起。該LDMOSFET不僅有效的縮小了器件的尺寸，還大大提升了器件的性能。