一種NLDMOS器件及制備方法、芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210014429.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114050181B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114050181B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙東艷;王于波;鄧永峰;陳燕寧;付振;劉芳;余山;吳波;郁文;王凱;劉倩倩 申請（專利權）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機構 北京潤平知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 高英英
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營西路79號院中科云谷園11號樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供一種NLDMOS器件及制備方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：襯底，所述襯底上方設有第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)，所述第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)之間留有襯底間隙；所述第一高壓N阱區(qū)和第二高壓N阱區(qū)上設有P型降低電場區(qū)，所述P型降低電場區(qū)經(jīng)過所述襯底間隙；所述第一高壓N阱區(qū)上還設有P型體區(qū)，所述第二高壓N阱區(qū)上設有N型漂移區(qū)；所述P型體區(qū)、襯底間隙以及N型漂移區(qū)形成PIN結。所述NLDMOS器件的結構設計有效的提高了擊穿電壓。