一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210159448.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114220846A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220846A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 申請（專利權(quán)）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳瀟瀟
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營西路79號院中科云谷園11號樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供一種LDMOSFET、制備方法及芯片和電路，所述LDMOSFET包括：襯底，所述襯底上設(shè)有埋層；所述埋層上方設(shè)有外延層；所述外延層上方設(shè)有N型阱；所述N型阱上方依次設(shè)有第一P型體區(qū)、N型漂移區(qū)和第二P型體區(qū)；所述N型漂移區(qū)的中間設(shè)有間隙，所述間隙的深度小于所述N型漂移區(qū)的深度。所述LDMOSFET不僅有效的縮小了器件的尺寸，還大大提升了器件的性能。