隔離電容及隔離電容的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111436654.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113851466B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN113851466B 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L23/64（2006.01）I;H01L49/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙東艷;王于波;鄧永峰;陳燕寧;付振;劉芳;郁文;吳波 申請（專利權(quán)）人 國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團有限公司
代理機構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳瀟瀟;李紅
地址 100192北京市海淀區(qū)西小口路66號中關(guān)村東升科技園A區(qū)3號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，提供一種隔離電容及隔離電容的制備方法。所述隔離電容包括襯底、下極板、上極板以及位于所述下極板與所述上極板之間的電介質(zhì)層，還包括設(shè)置于所述下極板與所述襯底之間的隔離層；所述隔離層由介電常數(shù)在2~3之間的電介質(zhì)材料形成，所述隔離層用于降低所述下極板與所述襯底之間的寄生電容。本發(fā)明在下極板與襯底之間增加超低介電常數(shù)的隔離層，大幅度降低下極板與襯底之間的寄生電容。