一種LDMOSFET、制備方法及芯片、電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210132826.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114188402A 公開（公告）日 2022-03-15
申請公布號 CN114188402A 申請公布日 2022-03-15
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/161（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余山;趙東艷;王于波;陳燕寧;付振;劉芳;王凱;吳波;鄧永峰;劉倩倩;郁文 申請（專利權(quán)）人 北京芯可鑒科技有限公司
代理機構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 高英英
地址 102200北京市昌平區(qū)雙營西路79號院中科云谷園11號樓一層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例提供一種LDMOSFET、制備方法及芯片、電路。所述LDMOSFET包括：襯底，所述襯底上設(shè)有埋層；所述埋層和襯底上方設(shè)有高壓N型阱和第一高壓P型阱；所述高壓N型阱上方設(shè)有第二高壓P型阱；所述第二高壓P型阱上方依次設(shè)有第一P型漂移區(qū)、N型體區(qū)及第二P型漂移區(qū)；所述第一P型漂移區(qū)上設(shè)有第一溝道漏極，所述第一溝道漏極的深度小于所述第一P型漂移區(qū)的深度；所述第二P型漂移區(qū)上設(shè)有第二溝道漏極，所述第二溝道漏極的深度小于所述第二P型漂移區(qū)的深度；所述第一溝道漏極和第二溝道漏極均設(shè)有鍺硅。所述LDMOSFET通過提高載流子的遷移率，大大提升了自身的驅(qū)動能力和驅(qū)動速度。