用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽能電池的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910164226.4 申請日 -
公開（公告）號 CN101640234A 公開（公告）日 2010-02-03
申請公布號 CN101640234A 申請公布日 2010-02-03
分類號 H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯仁義 申請（專利權(quán)）人 四川阿波羅太陽能科技有限責任公司
代理機構(gòu) 成都科海專利事務(wù)有限責任公司 代理人 鄧繼軒
地址 610207四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)騰飛三路485號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽能電池的方法，其特點是該方法包括CdS/CdTe膜的形成，CdCl2熱處理和背電極的制作三部分，通過對電壓、電源、氣壓和距離控制，控制膜的質(zhì)量，使用磁控濺射法將CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分別依次鍍在清潔并光刻完成的導電玻璃工件上，構(gòu)成完整電池。經(jīng)性能測試：小面積0.05cm2，短路電流27mA/cm2，開路電壓0.82V/每個單電池，填充因子72％，轉(zhuǎn)換效率14.2％；大面積2000cm2(20×100cm)，短路電流21mA/cm2，開路電壓0.63V/每個單電池，填充因子66％轉(zhuǎn)換效率8％。