用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽(yáng)能電池的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910164225.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101640233A 公開(kāi)（公告）日 2010-02-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN101640233A 申請(qǐng)公布日 2010-02-03
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 侯仁義 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 四川阿波羅太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 成都科海專利事務(wù)有限責(zé)任公司 代理人 四川阿波羅太陽(yáng)能科技有限責(zé)任公司;成都中建材光電材料有限公司
地址 610207四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)騰飛三路485號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽(yáng)能電池的裝置，其特點(diǎn)是該裝置由CdS/CdTe的形成，CdCl2熱處理和背電極制作裝置組成。CdS/CdTe的形成裝置依次由進(jìn)料倉(cāng)(1)、CdS鍍膜倉(cāng)(2)、過(guò)渡倉(cāng)(3)、CdTe鍍膜倉(cāng)(4)和出料倉(cāng)(5)組成，CdCl2熱處理采用近空間升華法裝置將CdCl2鍍?cè)贑dS/CdTe面上，背電極制作裝置與CdS/CdTe形成裝置基本相同，只是將CdS鍍膜倉(cāng)換成ZnTe鍍膜倉(cāng)，CdTe鍍膜倉(cāng)換成Ni鍍膜倉(cāng)。然后采用磁控濺射法將CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分別濺射到經(jīng)清洗激光刻的導(dǎo)電玻璃工件上，用超聲焊機(jī)焊上引出電極，用UV膠在電池背面涂覆約200～500μm厚的膠膜，經(jīng)UV干燥機(jī)干燥后形成完整的太陽(yáng)能電池。