用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽能電池的裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN200910164225.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN101640233A | 公開(公告)日 | 2010-02-03 |
申請公布號 | CN101640233A | 申請公布日 | 2010-02-03 |
分類號 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 侯仁義 | 申請(專利權(quán))人 | 四川阿波羅太陽能科技有限責任公司 |
代理機構(gòu) | 成都科海專利事務(wù)有限責任公司 | 代理人 | 四川阿波羅太陽能科技有限責任公司;成都中建材光電材料有限公司 |
地址 | 610207四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)騰飛三路485號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了用磁控濺射法生產(chǎn)CdS/CdTe太陽能電池的裝置,其特點是該裝置由CdS/CdTe的形成,CdCl2熱處理和背電極制作裝置組成。CdS/CdTe的形成裝置依次由進料倉(1)、CdS鍍膜倉(2)、過渡倉(3)、CdTe鍍膜倉(4)和出料倉(5)組成,CdCl2熱處理采用近空間升華法裝置將CdCl2鍍在CdS/CdTe面上,背電極制作裝置與CdS/CdTe形成裝置基本相同,只是將CdS鍍膜倉換成ZnTe鍍膜倉,CdTe鍍膜倉換成Ni鍍膜倉。然后采用磁控濺射法將CdS、CdTe、CdCl2、ZnTe:Cu和Ni分別濺射到經(jīng)清洗激光刻的導電玻璃工件上,用超聲焊機焊上引出電極,用UV膠在電池背面涂覆約200~500μm厚的膠膜,經(jīng)UV干燥機干燥后形成完整的太陽能電池。 |
