一種制備p+摻雜層與n+前表面場(chǎng)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210323522.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102820382B 公開(kāi)（公告）日 2016-01-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102820382B 申請(qǐng)公布日 2016-01-20
分類號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈銳;張巍;陳晨;張代生;金智;劉新宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種n型晶硅太陽(yáng)能電池p+摻雜層與n+前表面場(chǎng)的制備方法，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括在n型晶硅襯底上沉積摻硼非晶硅層，形成第I中間產(chǎn)物；在所述第I中間產(chǎn)物的非晶硅層上沉積氮化硅保護(hù)層，形成第II中間產(chǎn)物；在所述第II中間產(chǎn)物的n型晶硅襯底前表面形成n+層，即前表面場(chǎng)形成第III中間產(chǎn)物；對(duì)所述第III中間產(chǎn)物進(jìn)行高溫退火，使n型晶硅襯底上形成p+發(fā)射結(jié)，形成第Ⅳ中間產(chǎn)物；將所述第Ⅳ中間產(chǎn)物氮化硅保護(hù)層和所述摻硼非晶硅除去，得到n型晶硅太陽(yáng)能電池p+摻雜層與n+前表面場(chǎng)。該方法成本低，并且p+型摻雜的均勻性較好。