基于共蒸法制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200810104757.X 申請日 -
公開（公告）號 CN101565855B 公開（公告）日 2011-06-29
申請公布號 CN101565855B 申請公布日 2011-06-29
分類號 C30B29/68(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 賈銳;李維龍;陳晨;劉明;陳寶欽;謝常青 申請（專利權(quán)）人 徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院微電子研究所;徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種基于共蒸法制備硅納米晶超晶格結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明的主要特征是利用電子束蒸發(fā)設(shè)備在硅襯底上制備疊層硅量子點(diǎn)的方法。其主要步驟包括：在硅襯底上熱氧化生長一層絕緣層二氧化硅；用電子束蒸發(fā)的方法將硅固體顆粒和二氧化鉿固體顆?；旌衔镎舭l(fā)至絕緣層上；高溫?zé)嵬嘶?。采用這種方法制備的量子點(diǎn)顆粒的大小約為3-6nm，可用于單電子器件或單電子存儲(chǔ)器的制作，特別是用于太陽能電池的制作等。這種方法具有工藝步驟少、簡單、穩(wěn)定可靠、易于大規(guī)模制造、能與傳統(tǒng)的微電子工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。