一種制備晶體硅雙發(fā)射極背結(jié)背接觸太陽(yáng)能電池的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310360950.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103400904B 公開(kāi)（公告）日 2015-08-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN103400904B 申請(qǐng)公布日 2015-08-05
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈銳;邢釗;陳晨;張巍;張代生;金智;劉新宇 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司
地址 100083 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種制備晶體硅雙發(fā)射極背結(jié)背接觸太陽(yáng)能電池的方法，包括:在硅片背面整面硼離子注入形成背面發(fā)射區(qū);背面沉積堿腐蝕阻擋層;在背面阻擋層上開(kāi)出BSF窗口，腐蝕去除BSF窗口處的堿腐蝕阻擋層;堿腐蝕去除背面BSF窗口處的硼注入層;在硅片前表面沉積一層薄的擴(kuò)散過(guò)濾層;雙面磷擴(kuò)散同時(shí)形成BSF和FSF；去除背面的堿腐蝕阻擋層和前表面的擴(kuò)散過(guò)濾層;硼離子注入激活;制備前表面減反層和背面鈍化層;制備背面發(fā)射區(qū)電極和BSF電極;燒結(jié)實(shí)現(xiàn)電極的歐姆接觸。本發(fā)明在工藝上得到了簡(jiǎn)化，性能上也得到了提升，對(duì)于雙發(fā)射極背結(jié)背接觸電池的產(chǎn)業(yè)化前景具有很大的裨益。