一種制備表面混合調(diào)制晶硅太陽(yáng)能電池的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN200910080054.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN101840953B | 公開(公告)日 | 2011-10-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN101840953B | 申請(qǐng)公布日 | 2011-10-12 |
分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 賈銳;朱晨昕;陳晨;李維龍;張培文;劉明;劉新宇;葉甜春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;徐州中科立晟新能源技術(shù)有限公司 |
地址 | 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種制備表面混合調(diào)制晶硅太陽(yáng)能電池的方法,包括:在晶硅基板正面和背面制備絨面結(jié)構(gòu);將正面和背面均有絨面結(jié)構(gòu)的晶硅基板放置于擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散,形成雙面PN結(jié);在晶硅基板正面淀積Si薄膜,退火形成硅納米晶;在晶硅基板正面淀積金屬薄膜,退火形成金屬納米晶;在晶硅基板正面和背面生長(zhǎng)Si3N4減反膜;采用絲網(wǎng)印刷在晶硅基板的背面印刷的正電極,并進(jìn)行熱處理固化;然后采用絲網(wǎng)印刷在晶硅基板的正面印刷的負(fù)電極,并進(jìn)行熱處理固化;合金退火,制備出表面硅納米晶和金屬納米晶混合調(diào)制晶硅太陽(yáng)能電池。本發(fā)明通過表面硅納米晶和金屬納米晶混合調(diào)制方式,充分地轉(zhuǎn)換短波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光,使其被晶硅電池吸收,達(dá)到高效轉(zhuǎn)換的目的。 |
