一種太陽能電池片及其背面PECVD法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110760598.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113481487A 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113481487A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) C23C16/50（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/06（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋飛飛;王英杰;任勇;何悅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 王艷齋
地址 322118浙江省金華市東陽市橫店鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種太陽能電池片及其背面PECVD法和應(yīng)用。所述背面PECVD法包括以下步驟：（1）吹掃循環(huán)：插有硅片的石墨舟進(jìn)舟前，對(duì)爐管循環(huán)進(jìn)行氮?dú)鉀_洗和一次抽真空操作；（2）預(yù)處理：通入N2O；（3）鍍膜處理：依次沉積背鈍化膜、氮化硅膜和氧化硅膜，得到經(jīng)過背面PECVD處理的硅片；（4）氮?dú)馇逑矗喝〕霾逵泄杵氖?，用氮?dú)馇逑礌t管。本發(fā)明在石墨舟進(jìn)舟前，提前利用氮?dú)獯祾咔逑春驼婵粘两档难h(huán)的方式減少PECVD爐管內(nèi)的顆粒數(shù)量，之后再進(jìn)石墨舟，同時(shí)在爐管運(yùn)行過程中保持相對(duì)低的氣流量和低氣壓，避免了反應(yīng)物過量，最終有效地降低了太陽能電池片的EL黑點(diǎn)污染。