一種異型槽分離柵IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110829131.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113451401A 公開（公告）日 2021-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113451401A 申請(qǐng)公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I;H01L21/308（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張永利;王新強(qiáng);王丕龍;劉文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 青島佳恩半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鄭艷春
地址 266100山東省青島市高新區(qū)寶源路780號(hào)41號(hào)樓103-104單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種異型槽分離柵IGBT結(jié)構(gòu)及其制造方法，涉及IGBT結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。集電極的上方設(shè)置有n型襯底，n型襯底的內(nèi)部設(shè)置有規(guī)律排布的豎向溝槽，溝槽內(nèi)有氧化層和多晶層，在相鄰的溝槽間設(shè)有p型阱，p型阱內(nèi)置n+發(fā)射區(qū)和p+型短路區(qū)，n+發(fā)射區(qū)位于p型阱上方邊部，p+型短路區(qū)位于n+發(fā)射區(qū)中間，溝槽頂部設(shè)有保護(hù)氧化層和發(fā)射極金屬，保護(hù)氧化層中設(shè)置金屬層形成發(fā)射極和柵極。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，本發(fā)明的有益效果是：IGBT器件中分離柵采用上下結(jié)構(gòu)，通過(guò)獨(dú)特的兩次刻蝕溝槽工藝，生產(chǎn)出的IGBT器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)緊湊、無(wú)縫隙，能夠降低IGBT器件米勒電容，提高IGBT開關(guān)速度，有效地降低開關(guān)損耗。