一種硅襯底和將半導體器件與該硅襯底剝離的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410093908.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103824766B 公開（公告）日 2017-03-22
申請公布號 CN103824766B 申請公布日 2017-03-22
分類號 H01L21/302(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邵春林;林岳明;汪英杰 申請（專利權(quán)）人 華延芯光（北京）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京權(quán)泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 內(nèi)蒙古華延芯光科技有限公司
地址 017000 內(nèi)蒙古自治區(qū)鄂爾多斯市杭錦旗錫尼鎮(zhèn)阿斯爾西街北地稅小區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有特殊結(jié)構(gòu)的硅襯底，其特征在于，在硅本體材料表面以下數(shù)微米深度處設(shè)置一層腐蝕阻擋層，當接觸硅腐蝕液時，該腐蝕阻擋層的腐蝕速度比硅本體材料小。本發(fā)明還涉及將生長在上述硅襯底上的半導體器件與該硅襯底進行剝離的方法，采用這種剝離方法可以將成膜過程中由于熱膨脹系數(shù)不同所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力在整個硅襯底平面范圍內(nèi)均勻地釋放，減少因應(yīng)力釋放不均勻造成半導體器件的開裂，有效而簡單地將硅襯底與半導體器件進行剝離，提高了半導體器件的合格率。