一種氮化鎵基發(fā)光二極管及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410093932.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103824915A | 公開(公告)日 | 2014-05-28 |
申請公布號 | CN103824915A | 申請公布日 | 2014-05-28 |
分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 閆發(fā)旺;白俊春;汪英杰 | 申請(專利權(quán))人 | 華延芯光(北京)科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京權(quán)泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 華延芯光(北京)科技有限公司 |
地址 | 100176 北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)宏達北路12號A813室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種氮化鎵基發(fā)光二極管,其從下到上依次包括以下各層:藍寶石襯底1;氮化鎵層2,其作為緩沖層;非摻雜氮化鎵層3;n型導(dǎo)電氮化鎵層4;表面粗化不平的氮化鋁硅層5;氮化銦鎵/氮化鎵多量子阱層6;和p型氮化鎵層7。本發(fā)明還提供了上述氮化鎵基發(fā)光二極管的制備方法。 |
