一種蒸發(fā)源組件和薄膜生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822226646.8 申請日 -
公開（公告）號 CN209537607U 公開（公告）日 2019-10-25
申請公布號 CN209537607U 申請公布日 2019-10-25
分類號 C23C14/24（2006.01）I; C23C14/06（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 鄒以慧; 瞿佳華 申請（專利權(quán)）人 華夏易能（廣東）新能源科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華夏易能（廣東）新能源科技有限公司;北京暉宏科技有限公司
地址 517000 廣東省河源市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)高新二路163號創(chuàng)業(yè)服務中心三樓309-53室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種蒸發(fā)源組件和薄膜生長設(shè)備，包括一腔室，腔室包括多個反應區(qū)以及位于相鄰的反應區(qū)之間的間隔板，間隔板將各個反應區(qū)分隔成相互獨立的空間；多個反應區(qū)至少包括第一反應區(qū)、第二反應區(qū)和第三反應區(qū)，第一反應區(qū)、第二反應區(qū)和第三反應區(qū)的排列方向與位于腔室頂部的襯底的傳動方向相同；第一反應區(qū)包括硒蒸發(fā)源、銦蒸發(fā)源和鎵蒸發(fā)源，第二反應區(qū)包括硒蒸發(fā)源和銅蒸發(fā)源，第三反應區(qū)包括硒蒸發(fā)源、銦蒸發(fā)源和鎵蒸發(fā)源。由于相鄰的反應區(qū)之間具有間隔板，因此，第一反應區(qū)、第二反應區(qū)和第三反應區(qū)之間的各蒸發(fā)源不會相互影響，這樣不僅提高了各蒸發(fā)源的利用率，而且可以提高CIGS薄膜的質(zhì)量。