降低單晶晶棒氣孔率的直拉拉晶方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011628082.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112853477B 公開(kāi)（公告）日 2022-06-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN112853477B 申請(qǐng)公布日 2022-06-10
分類號(hào) C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 林通;梁萬(wàn)亮;丁亞國(guó);馬國(guó)忠;顧燕濱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧夏申和新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏三源鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)光明西路25號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低單晶晶棒氣孔率的直拉拉晶方法，屬于單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。在熔料工序結(jié)束后，增加消泡工序，通過(guò)將坩堝鍋位提高至80mm～150mm，控制硅熔液液面溫度為1480℃～1550℃，控制硅熔液液面上方氣氛壓力為0～1000pa的手段，提高硅熔液軸向溫度梯度，加強(qiáng)硅熔液自然對(duì)流，并在此狀態(tài)下，保持0.5h～2h后，進(jìn)入穩(wěn)定化工序。通過(guò)增加消泡工序，所拉制的單晶晶棒切片的次品率降低，尤其地，當(dāng)采用熱涂層的坩堝時(shí)，所拉制的單晶晶棒切片的次品率由0.5%降低至0.2%，效果顯著。