導流筒及單晶爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023166476.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214193510U 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN214193510U 申請公布日 2021-09-14
分類號 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 丁亞國;顧燕濱;梁萬亮;馬國忠 申請（專利權(quán)）人 寧夏申和新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 寧夏合天律師事務所 代理人 鄭重
地址 750021 寧夏回族自治區(qū)銀川市西夏區(qū)光明西路25號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種導流筒及單晶爐，屬于單晶設備技術(shù)領(lǐng)域。導流筒包括外殼、內(nèi)膽及填充于所述外殼和所述內(nèi)膽之間的絕熱層，所述內(nèi)膽包括鉬金屬部及高純石墨部，所述鉬金屬部設置于所述高純石墨部上。一方面，高純石墨部靠近硅熔湯液面，鉬金屬部遠離硅熔湯液面，因此降低鉬金屬擴散，提高單晶硅品質(zhì)；另一方面，位于導流筒上部的鉬金屬部能夠反射部分熱量，增加溫度梯度，提高單晶拉速。上述導流筒能夠在保證單晶拉速的基礎上，降低單晶硅金屬雜質(zhì)含量，提高單晶硅品質(zhì)，延長單晶硅使用壽命。