直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111639258.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114369866A 公開（公告）日 2022-04-19
申請公布號(hào) CN114369866A 申請公布日 2022-04-19
分類號(hào) C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 丁亞國;李玲玲;梁萬亮;馬國忠;顧燕濱 申請（專利權(quán)）人 寧夏申和新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧夏三源鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫彥虎
地址 750000寧夏回族自治區(qū)銀川市開發(fā)區(qū)光明西路25號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種直拉單晶爐熱屏裝置及提高拉晶速率的方法，屬于提高拉晶速率工藝的技術(shù)領(lǐng)域，包括：導(dǎo)流筒、水冷屏，所述導(dǎo)流筒位于所述水冷屏的下方，所述水冷屏的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置有凹坑，單晶爐加熱器位于爐體底部，布設(shè)于坩堝底部或側(cè)壁上，單晶硅拉制過程中，加熱器的溫度自加熱爐底部向上折射，本發(fā)明在所述水冷屏的內(nèi)側(cè)壁設(shè)置凹坑，通過凹坑能夠增加水冷屏的熱折射方向，使得熱折射向上，減少熱折射直接折射在晶棒上，利于晶棒的降溫，且所述凹坑有利于增大水冷屏散熱面積，且增加了水冷屏的吸熱效率，提高加熱爐腔內(nèi)散熱效率，進(jìn)而使得單晶棒拉制的過程中拉速提高，進(jìn)而拉制單晶棒的產(chǎn)率提高。