一種后摻雜式N型接觸鈍化電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911036683.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110838528B 公開(kāi)（公告）日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN110838528B 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) H01L31/068;H01L31/0288;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王偉;馬志杰;張一波;顧文操;盛健;張淳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 張家港協(xié)鑫集成科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 姚惠菱
地址 201400 上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)江海經(jīng)濟(jì)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種后摻雜式N型接觸鈍化電池，包括N型硅片、正面結(jié)構(gòu)以及背面結(jié)構(gòu)，背面結(jié)構(gòu)包括隧穿層、n+多晶硅層、背面鈍化層以及背面金屬電極，隧穿層、n+多晶硅層以及背面鈍化層沿漸遠(yuǎn)N型硅片的方向依次設(shè)置，N型接觸鈍化電池還包括本征多晶硅層和n++重?fù)诫s區(qū)域，本征多晶硅層設(shè)于n+多晶硅層與背面鈍化層之間，n++重?fù)诫s區(qū)域貫穿本征多晶硅層，n++重?fù)诫s區(qū)域的內(nèi)端與n+多晶硅層接觸，背面金屬電極貫穿背面鈍化層，背面金屬電極的內(nèi)端與n++重?fù)诫s區(qū)域的外端接觸。本發(fā)明既可以減少背面的自由載流子吸收，提升雙面電池的雙面率，又消除金屬化區(qū)域的金屬?gòu)?fù)合，進(jìn)一步提升N型接觸鈍化電池轉(zhuǎn)化效率。