一種后摻雜式N型接觸鈍化電池
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911036683.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110838528A | 公開(公告)日 | 2021-07-06 |
申請公布號 | CN110838528A | 申請公布日 | 2021-07-06 |
分類號 | H01L31/068;H01L31/0288;H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王偉;馬志杰;張一波;顧文操;盛健;張淳 | 申請(專利權(quán))人 | 張家港協(xié)鑫集成科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 姚惠菱 |
地址 | 201400 上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)江海經(jīng)濟園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種后摻雜式N型接觸鈍化電池,包括N型硅片、正面結(jié)構(gòu)以及背面結(jié)構(gòu),背面結(jié)構(gòu)包括隧穿層、n+多晶硅層、背面鈍化層以及背面金屬電極,隧穿層、n+多晶硅層以及背面鈍化層沿漸遠(yuǎn)N型硅片的方向依次設(shè)置,N型接觸鈍化電池還包括本征多晶硅層和n++重?fù)诫s區(qū)域,本征多晶硅層設(shè)于n+多晶硅層與背面鈍化層之間,n++重?fù)诫s區(qū)域貫穿本征多晶硅層,n++重?fù)诫s區(qū)域的內(nèi)端與n+多晶硅層接觸,背面金屬電極貫穿背面鈍化層,背面金屬電極的內(nèi)端與n++重?fù)诫s區(qū)域的外端接觸。本發(fā)明既可以減少背面的自由載流子吸收,提升雙面電池的雙面率,又消除金屬化區(qū)域的金屬復(fù)合,進一步提升N型接觸鈍化電池轉(zhuǎn)化效率。 |
