鈍化接觸電池及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811313140.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110459642B | 公開(公告)日 | 2021-07-20 |
申請公布號 | CN110459642B | 申請公布日 | 2021-07-20 |
分類號 | H01L31/18;H01L31/0216 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 楊亞娣;蔡文浩;麻增智;顧文操;錢小立;盛健 | 申請(專利權(quán))人 | 張家港協(xié)鑫集成科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 唐清凱 |
地址 | 201406 上海市奉賢區(qū)南橋鎮(zhèn)江海經(jīng)濟(jì)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種鈍化接觸電池及其制備方法。該鈍化接觸電池的制備方法包括以下步驟:在N型硅片的正面形成P+層;去除背面的背結(jié),之后在背面依次形成隧穿氧化層、非晶硅層以及N+層;增加背面掩膜的厚度,之后依次去除正面磷硅玻璃、正面非晶硅層、背面掩膜與正面硼硅玻璃;在正面生長氧化鋁,之后在正面和背面形成氮化硅膜;以及印刷銀電極,燒結(jié)之后得到鈍化接觸電池。上述鈍化接觸電池的制備方法,通過對背面掩膜高溫氧化處理,增加背面掩膜的厚度,耐氫氧化四甲基銨溶液腐蝕能力增強(qiáng),完全去除硅片正面非晶硅層的同時,較好的保護(hù)硅片背面的非晶硅層。解決了在制備鈍化接觸電池過程中非晶硅繞鍍的難題,使得接觸鈍化電池更易于實現(xiàn)量產(chǎn)。 |
