一種提高金屬膜沉積臺(tái)階覆蓋率的裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210426440.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114645245A | 公開（公告）日 | 2022-06-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114645245A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-21 |
| 分類號(hào) | C23C14/04（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 史鵬;王世寬;宋永輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州京昀知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種提高金屬膜沉積臺(tái)階覆蓋率的裝置，涉及物理氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域。裝置包括：腔體，其內(nèi)設(shè)置有真空腔室，所述腔體的頂部設(shè)置有靶材放置位置，所述靶材放置位置用于放置靶材；晶圓臺(tái)，設(shè)置在所述腔體的底部，所述晶圓臺(tái)用于放置晶圓，所述靶材在預(yù)設(shè)工藝下被濺射至所述晶圓表面；其中，所述腔體的高度為90～200mm之間的任意一值，以增加所述靶材與所述晶圓之間的距離。通過(guò)本發(fā)明能夠改善鋁膜的填孔性能，縮短加工時(shí)間。 |
