一種改善氧化釩膜厚均勻性的氣相沉積設(shè)備及其氣相沉積方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111205625.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113930735A 公開（公告）日 2022-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113930735A 申請(qǐng)公布日 2022-01-14
分類號(hào) C23C14/35（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王世寬;宋永輝;徐偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇智天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳文艷
地址 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種改善氧化釩膜厚均勻性的氣相沉積設(shè)備及其氣相沉積方法，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中氧化釩膜厚均勻性較差的問題，提供了以下技術(shù)方案，包括真空腔室、濺射電源以及設(shè)于真空腔室的磁場(chǎng)裝置，真空腔室頂部設(shè)有連接濺射電源的靶材，真空腔室底部設(shè)有用于沉積薄膜的襯底，真空腔室在襯底正上方中心區(qū)域設(shè)有擋片，真空腔室水平設(shè)置用于安裝擋片的支撐桿，襯底的直徑為200mm，擋片直徑為80~90mm，擋片與襯底之間的距離為110?130mm。通過擋片擋住部分要沉積在襯底中心區(qū)域的氧化釩粒子，從而減少氧化釩在襯底中心區(qū)域的沉積量，使氧化釩膜厚更均勻，當(dāng)襯底的直徑為200mm時(shí)，選用直徑為80~90mm的擋片，并調(diào)節(jié)擋片與襯底之間的距離為110?130mm時(shí)，能有效提高良率。