一種提升氧化釩刻蝕形貌的工藝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111205628.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113948400A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948400A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L21/4757（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋永輝;王世寬;王兆豐 申請（專利權(quán)）人 無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇智天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳文艷
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提升氧化釩刻蝕形貌的工藝方法，針對F基在與氧化釩反應(yīng)中形成化合物并且產(chǎn)生聚集現(xiàn)象，使深入到氧化釩內(nèi)部的F基與周圍的氧化釩產(chǎn)生反應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)生形狀為圓弧形的刻蝕溝，導(dǎo)致良品率的下降的問題，提供了以下技術(shù)方案，包括刻氣體增壓裝置、蝕反應(yīng)腔室、襯底、沉降在襯底上的氧化釩薄膜，還包括分子泵，熱交換器、射頻電源和交射頻發(fā)生器，刻蝕反應(yīng)腔室中通入CL氣并維持一定壓力（一般為5~20mt），刻蝕工藝方法有步驟，首先對CL氣進(jìn)行電離，然后使電離后的帶電離子體在交射頻發(fā)生器的作用下形成雙螺旋渦流并且向氧化釩薄膜的指定范圍移動，經(jīng)刻蝕使氧化釩薄膜形成的側(cè)壁與襯底的夾角在85°～90°之間。