一種提升氧化釩刻蝕形貌的工藝方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111205628.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113948400A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113948400A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-18 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/4757（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋永輝;王世寬;王兆豐 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 江蘇智天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 陳文艷 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠(chǎng)房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種提升氧化釩刻蝕形貌的工藝方法，針對(duì)F基在與氧化釩反應(yīng)中形成化合物并且產(chǎn)生聚集現(xiàn)象，使深入到氧化釩內(nèi)部的F基與周?chē)难趸C產(chǎn)生反應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)生形狀為圓弧形的刻蝕溝，導(dǎo)致良品率的下降的問(wèn)題，提供了以下技術(shù)方案，包括刻氣體增壓裝置、蝕反應(yīng)腔室、襯底、沉降在襯底上的氧化釩薄膜，還包括分子泵，熱交換器、射頻電源和交射頻發(fā)生器，刻蝕反應(yīng)腔室中通入CL氣并維持一定壓力（一般為5~20mt），刻蝕工藝方法有步驟，首先對(duì)CL氣進(jìn)行電離，然后使電離后的帶電離子體在交射頻發(fā)生器的作用下形成雙螺旋渦流并且向氧化釩薄膜的指定范圍移動(dòng)，經(jīng)刻蝕使氧化釩薄膜形成的側(cè)壁與襯底的夾角在85°～90°之間。 |
