一種材料處理方法及設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111074839.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113862626A 公開(kāi)(公告)日 2021-12-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN113862626A 申請(qǐng)公布日 2021-12-31
分類(lèi)號(hào) C23C14/35(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋永輝;王世寬 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州京昀知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 段曉玲;顧友
地址 214135江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種材料處理方法及設(shè)備,涉及材料技術(shù)領(lǐng)域。材料處理方法包括:將置于真空腔中的待處理材料移動(dòng)至第一預(yù)設(shè)位置;采用所述加熱裝置對(duì)所述待處理材料進(jìn)行加熱,所述加熱裝置位于所述真空腔內(nèi);將加熱完成后的所述待處理材料移動(dòng)至第二預(yù)設(shè)位置;采用所述冷卻裝置對(duì)加熱完成后的所述待處理材料進(jìn)行冷卻,所述冷卻裝置位于所述真空腔內(nèi)。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)在同一個(gè)真空腔內(nèi)對(duì)材料進(jìn)行熱處理和冷處理,并能夠?qū)崽幚砗蟮牟牧峡焖俳禍?,以保證磁控濺射的成膜質(zhì)量。