一種解決磁控濺射生長(zhǎng)氧化釩薄膜顆粒的工藝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111204291.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113930741A 公開(kāi)（公告）日 2022-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113930741A 申請(qǐng)公布日 2022-01-14
分類(lèi)號(hào) C23C14/56（2006.01）I;B08B7/00（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類(lèi) 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋永輝;王世寬;蔡浩杰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇智天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳文艷
地址 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江南路35-312號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種解決磁控濺射生長(zhǎng)氧化釩薄膜顆粒的工藝方法，針對(duì)由于高價(jià)態(tài)氧化釩掉落襯底導(dǎo)致氧化釩薄膜良率不達(dá)標(biāo)的問(wèn)題，提供了以下技術(shù)方案，步驟1，將襯底從真空室中移出，氣嘴停止供氧氣；步驟2，利用濺射電源，向靶材施加高頻電力，以使靶材向真空室內(nèi)濺射釩離子；步驟3，利用外力，將步驟2中的釩離子引導(dǎo)朝向真空室內(nèi)的屏蔽件和氣嘴的方向移動(dòng)，并使釩離子附著在屏蔽件和氣嘴上。利用純釩的粘性，使高價(jià)態(tài)的氧化釩在氣嘴和屏蔽件上固定牢固，不易掉落至氧化釩薄膜上，從而使氧化釩薄膜的釩元素的含量在可控的范圍內(nèi)，提高氧化釩薄膜的良率。