一種用于晶圓的膠刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210026734.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114496777A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496777A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/311（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王兆豐;王世寬;宋永輝 申請（專利權(quán)）人 無錫尚積半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 蘇州京昀知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)長江南路35-312號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于晶圓的膠刻蝕方法，涉及刻蝕技術(shù)領(lǐng)域。膠刻蝕方法包括：將所述晶圓置于預(yù)設(shè)腔體中；將所述預(yù)設(shè)腔體的溫度調(diào)節(jié)至預(yù)設(shè)溫度，并向所述預(yù)設(shè)腔體中充入惰性氣體；采用第一預(yù)設(shè)射頻波轟擊所述晶圓，同時采用第二預(yù)設(shè)射頻波與所述第一預(yù)設(shè)射頻波配合形成向下的牽引，以去除所述遮擋層。通過本發(fā)明，能夠提升刻蝕的均勻性。